Hochgeschwindigkeits-Durchbruch mit Transistor Outline Technologie

Die Nachfrage nach immer leistungsfähigeren Netzwerken wächst unaufhaltsam. Der Technologiekonzern Schott schlägt mit seinen 50G-Transistor-Outline-Gehäusen (TO) jetzt ein neues Kapitel in der Entwicklung von Ultra-Hochgeschwindigkeits-Netzwerktechnologien auf. Mögliche Anwendungen für 50G-TO-Gehäuse sind vielfältig. Dazu gehören 50G Ethernet, 64G Fibre Channel und bis zu 400G mit QSFP-Transceivern. Besonders erwähnenswert ist laut Schott der mögliche Einsatz in 50G CPRI-Anwendungen über bis zu 40 Kilometer, wofür eigentlich EML-Laser notwendig wären.

Damit wird eine leistungsfähigere, online vernetzte Welt mit Rechenzentren möglich, die über längere Single Mode-Verbindungen angeschlossen sind. Angesichts von 20,8 Milliarden vernetzten Geräten, die laut Gartner Group 2020 voraussichtlich im Einsatz sein (im Vergleich zu 6,4 Mrd. 2016), wird die durch 50G TO ermöglichte Hochgeschwindigkeitsentwicklung den Weg für dringend benötigte Bandbreitenerhöhungen in Datenkommunikationsnetzen ebnen. 50G-TO-Gehäuse ermöglichen auch eine schnellere Datenübertragung an Mobilfunkmasten. Damit unterstützen sie die Telekommunikationsbranche bei der Einführung von 5G-Mobilfunknetzen – ein Evolutionsschritt, der deutlich höhere Geschwindigkeiten als die derzeitige 4G-Infrastruktur liefern wird.

Komponenten für spezialisierte und extreme Bedingungen

Schott zeigte auf der Optical Fiber Conference (OFC) in San Diego ein breites Portfolio an opto-elektronischen Komponenten. Für die Infrastruktur von Rechenzentren bietet das Unternehmen 28G TO38-Sockel für 100G-Geschwindigkeiten. Eine neue Einschmelzkappe mit hohem Brechungsindex ermöglicht eine Reduzierung der Spotgröße für 25G-/28G-Fotodioden mit kleinem aktivem Bereich. Die branchenweit erste hermetisch dichte Vollkupfer-TO-Sockel bietet wiederum hohe Wärmeableitfähigkeiten, die auch bei industriellen Temperaturbedingungen (I-Temp) eine optimale Laserleistung unterstützen. (ig)